As a Fabless company, Dosilicon is focusing on the design, production and sale of NAND 、NOR and DRAM Flash. Dosilicon is the domestic company which can provide NAND/NOR/DRAM/MCP design and solutions at the same time. Dosilicon is constantly improving its research and development to achieve higher performance, achieve greater value, to support the ever growing requirements of reliable and cost effective data storage solutions.富利佳控股是全球半导体元器件代理商,总部位于台湾,旗下拥有富利佳电子有限公司、富利佳(中国)电子有限公司、富利佳电子(香港)有限公司、富利佳自1995年3月18日成立以来代理产品线完整齐备,涵括半导体大厂祥硕(ASMedia)、东芯(Dosilicon)、广濑(Hirose)、芯旺微(ChipON)、雅力特(Arterytek)、芯旺微(chipon)、日东电工(NITTO DENKO)、SPECTEK(事必达)、芯海(chipsea)、韦尔(Willsemi)、芯圣(Holychip)、松翰(Sonix)、微盟(Microne)、兆易创新(Gigadevice)、远翔(Feeling)、南麟(Natlinear)、ICT,捷捷微(Jiejie)、芯导(Prisemi)、华润微(CR Micro)、格科微(GALAXCORE)、志丰(KINGSTATE)、长晶(JCET)、凯特(KATESEMI)、威锋(VIA Labs)、士兰微(Silan)、芯朋微(Chipown)、英集芯(injoinic)、凌阳(SUNPLUS)、联阳(ITE)、晨星(MSTAR)、 三菱(Mitsubishi)、松下(Panasonic)、罗姆(ROHM)、夏普(Sharp)、三星(Samsung)、JST、泰科(TE)、等等超过60余品牌,在地办事处遍布共设立有12个,为亚太业绩突出的电子零件代理商之一。东芯授权代理商富利佳半导体作为Fabless芯片企业,聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售, 是目前国内可以同时提供NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。东芯在不断改良研发中获得更高的性能,实现更大的价值,为日益发展的存储需求提供可靠高效的解决方案。东芯授权代理商富利佳携手东芯原厂参加各种电子展,上海展,广西展,天津站,北京展,大连站,江西展,南昌展,湖南展,香港展,深圳展,厦门站,重庆展,西安展,长春展。通过展会,了解彼此,增加互信,促进生意,现在下订单的客户源源不断,年销售额达到3.5亿,年年业绩暴增!在此需要感谢广大的客户对东芯代理商富利佳的大力支持!大客户TCL,华为,中兴,创维,海康,大华,舜宇,宇视,大疆,同为,腾达,大族等大型客户。
type | Part Number | Density | Voltage | Speed(MHz/CLK) | Temp. Range | PKG Type | Datasheet |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SPI NAND
| DS35M12B-ID
| 512Mb
| 1.8V
| 83MHz
| -40℃~85℃
| WSON 6x5
| |
DS35M12B-IB
| WSON 8x6
| ||||||
DS35M1GA-IB
| 1Gb
| 104MHz
| WSON 8x6
| | |||
DS35M1GA-IW
| KGD
| ||||||
DS35M1GB-IB
| 83MHz
| WSON 8x6
| | ||||
DS35Q1GA-IB
| 3.3V
| 104MHz
| WSON 8x6
| | |||
DS35Q1GA-IW
| KGD
| ||||||
DS35M2GA-IB
| 2Gb
| 1.8V
| WSON 8x6
| | |||
DS35M2GA-IC
| BGA 24
| ||||||
DS35M2GA-IW
| KGD
| ||||||
DS35M2GB-IB
| 83MHz
| WSON 8x6
| | ||||
DS35Q2GA-IB
| 3.3V
| 104MHz
| WSON 8x6
| | |||
DS35Q2GA-IC
| BGA 24
| ||||||
DS35Q2GA-IW
| KGD
| ||||||
DS35Q2GB-IB
| WSON 8x6
| | |||||
DS35M4GM-IB
| 4Gb
| 1.8V | 83MHz | WSON 8x6
| | ||
DS35Q4GM-IB
| 3.3V | 104MHz | WSON 8x6
|
pePart NumberDensityVoltageSpeed(MHz/CLK)Temp. RangePKG TypeDatasheet
PPI NAND
FMND1G08S3D-IA
1Gb
1.8V
45ns
-40℃~85℃
TSOP 48(12*20mm)
FMND1G08S3D-ID
VFBGA 63(9*11mm)
FMND1G08S3D-IF
VFBGA 67(6.5*8mm)
FMND1G08S3D-IW
KGD
FMND1G08U3D-IA
3.3V
25ns
TSOP 48(12*20mm)
FMND1G08U3D-ID
VFBGA 63(9*11mm)
FMND1G08U3D-IF
VFBGA 67(6.5*8mm)
FMND1G08U3D-IW
KGD
FMND2G08S3D-IA
2Gb
1.8V
45ns
TSOP 48(12*20mm)
FMND2G08S3D-ID
VFBGA 63(9*11mm)
FMND2G08S3D-IF
VFBGA 67(6.5*8mm)
FMND2G08S3D-IW
KGD
FMND2G08U3D-IA
3.3V
25ns
TSOP 48(12*20mm)
FMND2G08U3D-ID
VFBGA 63(9*11mm)
FMND2G08U3D-IF
VFBGA 67(6.5*8mm)
FMND2G08U3D-IW
KGD
FMND4G08S3B-ID
4Gb
1.8V
30ns
VFBGA 63(9*11mm)
FMND4G08S3C-ID
VFBGA 63(9*11mm)
FMND4G08S3B-IA
TSOP 48(12*20mm)
FMND4G08S3C-IA
TSOP 48(12*20mm)
FMND4G08S3F-ID
VFBGA 63(9*11mm)
DSND4G08S3C-IA
45ns
TSOP 48(12*20mm)
FMND4G08U3B-ID
3.3V
20ns
VFBGA 63(9*11mm)
FMND4G08U3C-ID
VFBGA 63(9*11mm)
FMND4G08U3B-IA
TSOP 48(12*20mm)
FMND4G08U3C-IA
TSOP 48(12*20mm)
DSND4G08U3C-IA
25ns
TSOP 48(12*20mm)
DSND8G08S3M-ID
8Gb
1.8V
30ns
VFBGA 63(9*11mm)
DSND8G08S3N-ID
VFBGA 63(9*11mm)
DSND8G08S3M-JD
45ns
-40℃~105℃
VFBGA 63(9*11mm)
DSND8G08S3M-A2D
Dev