- FCP11N60
- 发布时间：2009/5/25 12:43:02 修改时间：2009/5/25 12:43:02 浏览次数：1959
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飞兆半导体推出全新高电压SuperFET MOSFET 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种高电压MOSFET器件,采用飞兆半导体新型SuperFET技术,能大幅降低开关电源(SMPS)和功率因子校正(PFC)应用的系统功率损耗,提高功效和可靠性。飞兆半导体的专有SuperFET技术利用多次外延层来构成补偿区域,以改善导通阻抗性能。全新的FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET有低FOM值(FOM=RDS(on)x Qgd),与拥有相同RDS(on)水平的产品相比,FCP11N60具有最佳的FOM 飞兆半导体公司(Fairchild Semieonduetor)推出两种高电压MOSFET器件,采用飞兆半导体新型S叩erFErr技术,能大幅降低开关电源(SM卿和功率因子校正卿C)应用的系统功率损耗,提高功效和可靠性。飞兆半导体的专有SuperFET技术利用多次外延层来构成补偿区域,以改善导通阻抗性能。全新
