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影像方面，联发科天玑9000配备了18位HDR-ISP图像信号处理器（ISP），可支持三颗镜头同时拍摄HDR视频，可支持3.2亿像素摄像头。
另外，联发科天玑9000支持WQHD+144Hz刷新率屏幕或者FHD+180Hz刷新率屏幕，支持HDR10+、Wi-Fi6E、支持蓝牙5.3等。
联发科方面表示，这颗芯片有望于明年季度量产商用，预计小米、OV等品牌将会搭载。
据了解，5nm是当下全世界半导体领域应用最广泛、的可实现量产的芯片工艺，这项工艺目前只有三星和高通掌握。据了解，相比现在的5nm工艺制程，4nm进一步提升了效能、功耗效率、以及电晶体密度。目前，高通和三星还停留在5nm制程，暂无4nm的确认消息，而此次天玑9000的发布意味着联发科成为全球家推出4nm芯片的芯片厂商。
新一轮之争开启
手机芯片乃手机产品的核心，它决定了产品的性能、效率，也是当下行业企业竞争的高地。每一次芯片的发布，都将引发各手机企业“抢发新芯片”潮，且将推动手机行业新一轮换机潮。
随着此次联发科4nm芯片的率先发布，且预计将在明年季度量产，这意味着明年春季消费电子产品发布旺季，各手机厂商都将以4nm芯片为竞争卖点进行角逐，各手机新品也将普遍搭载4nm芯片，此外，由于三星、苹果暂未发布4nm芯片，国内主流手机厂商或有望借助4nm芯片，向三星、苹果等手机业市场主角发起强力进攻，有利于国内手机厂商发力市场。
二、功率半导体发展关键点
功率半导体属于特色工艺产品，非尺寸依赖型，在制程方面不追求的线宽，不遵守摩尔定律。数字芯片更加注重制程的升级，目前处理器等数字芯片的先进制程基本在14 nm 以下，产品更是达到了5 nm 制程，算力发展速度较快。而对于功率半导体而言，性能发展速度较慢，制程基本稳定在90 nm-0.35 μm 之间，其发展关键点主要包括制造工艺、封装技术、基础材料的升级。
发展关键点1:制造工艺。功率半导体制造工艺的具体难点在于沟槽工艺以及背面工艺(晶圆减薄、高剂量离子注入)等。以IGBT 为例，自上世纪80 年代被推出后，每一次的性能升级都离不开表面结构及背面工艺的进步。
目前中的功率器件(MOSFET和IGBT)均使用沟槽工艺。制备沟槽型器件工艺壁垒高，设计-制造环节须历经长期技术沉淀。沟槽栅IGBT 的沟槽宽度仅有1-2 μm，而沟槽深度要达到4 μm 以上。因此，通过酸腐蚀工艺制备沟槽时，须对沟槽的宽度和深度实现控制。此外，沟槽壁亦要尽可能光滑以提升良率。
同时，IGBT 沟槽底部的倒角亦须圆润、均一以免影响器件耐压。而沟槽形貌与设备条件、刻蚀工艺和后处理有着十分紧密的联系，须大力协调三者之间关系才可规模量产沟槽形貌良好的IGBT 产品。因此，功率半导体的制造工艺壁垒较高，需要晶圆厂与芯片设计部门长期合作，对器件的设计及制造技术长期打磨及优化。