品 牌： Infineon(英飞凌)
厂家型号： IPD60R280P7S
封装： PG-TO252-3
商品毛重： 1克(g)
包装方式： 编带
商品目录： 场效应管(MOSFET)
类型： N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 53W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 280mΩ@10V,3.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@190μA
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Infineon(英飞凌) MOSFET场效应管IPD60R280P7S N沟道
详细信息 品 牌： Infineon(英飞凌) 厂家型号： IPD60R280P7S 封装： PG-TO252-3 商品毛重： 1克(g) 包装方式： 编带 商品目录： 场效应管(MOSFET) 类型： N沟道 漏源电压(Vdss)： 600V 连续漏极电流(Id)： 12A 功率(Pd)： 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 280mΩ@10V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@190μA
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