- TriQuint 分立晶体管FET
- 发布时间：2013/3/19 13:42:48 修改时间：2013/3/19 13:42:48 浏览次数：4374
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低噪音晶体管
分立器件
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA) TGF1350-SCC 0.3 mm, MESFET DC - 18.0 11 13 1.5 dB 3 15 DC - 4 16 26 0.6 5 150 TGF4350 0.3 mm, 0.25-μm mmW pHEMT 2MI DC - 22.0 13@10GHz 16 0.8 dB@10GHz 3 15 分立晶体管
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封装 TGA2602-SM 双 GaAs PHEMT 0.8 - 3 20.5 20 33.5 0.55 4 140 4 x 4 mm CFH800 低噪声、高线性 pHEMT FET 0.05 - 4 17 - 30 0.5 3 30 SOT-143 功率晶体管
放大器
型号 描述 频率(GHz) 功率(dBm) 增益(dB) NF/PAE +V IQ(mA) TGA2921-SG 4 W 802.11a 封装放大器 4.9-6 36 11 - 8 800 TGA2922-SG 2W 802.11a封装放大器 4.9-6 34 11 - 8 480 TGA2923-SG 10 W MMDS封装放大器 3.5 40 9 - 8 1200 TGA2924-SG 10 W MMDS封装放大器 1-4 40 12 - 8 1200 TGA2925-SG 5.6 W 3.5 GHz 封装 HPA 2-4 37.5 12 - 8 750 分立器件
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA) T1G6000528-Q3 7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管 DC - 6 10 39.5 >50% 28 50 T1G6003028-FS 30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管 DC - 6 14 45 - 28 200 TGF2021-01 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 30 59% 8 - 12 75 - 125 TGF2021-02 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 33 59% 8 - 12 150 - 250 TGF2021-04 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 36 59% 8 - 12 300 - 500 TGF2021-04-SG pHEMT宽带射频晶体管 20 MHz - 4GHz 12 4W - - - TGF2021-08 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 39 59% 8 - 12 600 - 1000 TGF2021-08-SG pHEMT宽带射频晶体管 20 MHz - 4GHz 12V 7W - - - TGF2021-12 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 42 58% 8 - 12 900 - 1500 TGF2022-06 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 28 58% 8 - 12 45 - 75 TGF2022-12 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 31 58% 8 - 12 90 - 150 TGF2022-24 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 34 58% 8 - 12 180 - 300 TGF2022-48 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 37 58% 8 - 12 360 - 600 TGF2022-60 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 12 > 38 57% 8 - 12 448 - 752 TGF2023-01 6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 >38 55% 28 - 40 125 TGF2023-02 12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 > 41 55% 28 - 40 250 TGF2023-05 25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 > 44 55% 28 - 40 500 TGF2023-10 SiC HEMT 50W分立功率 GaN DC - 18 15 > 47 55% 28 - 40 1000 TGF2023-20 SiC HEMT 100W分立功率 GaN DC - 18 15 > 50 55% 28 - 40 2000 TGF4112 12mm HFET DC - 8.0 14@2GHz 37 55% 8 750 TGF4118 18mm HFET DC - 6.0 13.5@2GHz 38.5 53% 8 1690 TGF4124 24mm HFET DC - 4.0 13@2GHz 40 51% 8 2170 TGF4230-SCC 1.2 mm HFET DC - 12.0 10 28.5 55% 8 96 TGF4240-SCC 2.4mm HFET DC - 12.0 10 31.5 56% 8 192 TGF4250-SCC 4.8 mm HFET DC - 10.5 8.5 34 53% 8 384 TGF4260-SCC 9.6mm HFET DC - 10.5 9.5 37 52% 8.5 768 分立晶体管
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封装 CLY2 大功率 封装 GaAs FET; +23.5 dBm DC - 3 14.5 23.5 - 0.79 3 180 MW6 CLY5 大功率 封装 GaAs FET; +26.5 dBm 0.4 - 2.5 11 27 - 1.7 3 350 MW6 TGF2960-SD 0.5 W GaAs HFET DC - 5 19 27 40 3.7 8 100 SOT-89 TGF2961-SD 1 W GaAs HFET DC - 4 18 30 44 3.3 8 200 SOT- PowerBand? 射频晶体管
型号 描述 技术 频段 工作电压 P1dB (W) 增益(dB) 效率(%) 宽带评估板 T1P2701012-SP 10 W, 12 V, 500 MHz - 3 GHz pHEMT 射频功率晶体管 pHEMT 500MHz - 2.7GHz 12V 10 10 50 T1P2701012-SP T1P3002028-SP 20 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管 pHEMT 500MHz - 2.5GHz 28V 20 10 50 T1P3002028-SP T1G6003028-SP 25W, 28V, 20 MHz - 6 GHz GaN 分立射频晶体管 GaN 20MHz - 6.0GHz 28 25 8 50 T1G6003028-SP T1L2003028-SP 30 W, 28 V, 500 MHz - 2 GHz LDMOS RF 功率晶体管 LDMOS 500MHz - 2.0GHz 28V 30 10 60 T1L2003028-SPTF T1P3003028-SP 30 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管 pHEMT 500MHz - 2.0GHz 28V 30 10 50 T1P3003028-SP T1P3005028-SP 50 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管 pHEMT 500MHz - 2.0GHz 28V 50 10 50 T1P3005028-SP GaAs MESFET
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封装 FH1-G GaAs MESFET 0.05 - 4 19 21 42 2 5 150 SOT-89 FH101 GaAs MESFET 0.05 - 4 19 18 36 2 5 150 SOT-89 GaAs HFET
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封装 FP1189-G 0.5 W GaAs HFET 0.05 - 4 19 27 40 2.7 8 125 SOT-89 FP2189-G 1 W GaAs HFET 0.05 - 4 18 30 44 4.5 8 250 SOT-89 FP31QF-F 2 W GaAs HFET 0.05 - 4 18 34 46 3.5 9 450 6 x 6 mm GaN FET
分立器件
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA) T1G4005528-FS 55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管 DC - 3.5 15 47.2 >50% 28 200 T1G6000528-Q3 7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管 DC - 6 10 39.5 >50% 28 50 T1G6001528-Q3 18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射频功率晶体管 DC - 6 15 43.4 >50% 28 50 T1G6003028-FS 30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管 DC - 6 14 45 - 28 200 TGF2023-01 6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 >38 55% 28 - 40 125 TGF2023-02 12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 > 41 55% 28 - 40 250 TGF2023-05 25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 > 44 55% 28 - 40 500 TGF2023-10 SiC HEMT 50W分立功率 GaN DC - 18 15 > 47 55% 28 - 40 1000 TGF2023-20 SiC HEMT 100W分立功率 GaN DC - 18 15 > 50 55% 28 - 40 2000
0371-85705555