- 3DA198 型晶体管
- 发布时间：2009/9/14 14:31:04 修改时间：2009/9/14 14:31:04 浏览次数：1219
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3DA198 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
等级标记：Ⅱ类 - 主要用途： 1.6—30MHz50W单边带通讯设备及其它通讯设备中作功率放大，通过功率合成的方法、输出峰包功率可以从几十瓦到几百瓦。
- 外形图：F-2C型
3DA198 型晶体管参数
序号 参数 单位 测试条件 规范值 1 PCM W Tc≤70℃ 20 2 IC A 5 3 TjM ℃ 150 4 RTh ℃/W VC=20V，IC=1A 2.5 5 ICBO mA VCB=50V ≤5 6 BVCEO V ICE=5mA ≥40 7 BVEBO V IEB=2mA ≥4 8 VCE(sat) V IC=3A，IB=0.6A ≤1.5 9 hFE VC=5V，IC=1.5A 15~100 11 PO（PEP） W f=30MHz，VC=24V，Pi（PEP）=1.3W ≥20 12 G P dB ≥12 3DA198 型晶体管封装尺寸图
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
