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首页 > 供应产品 > TVS ESD ARRAY二极管及阵列
TVS ESD ARRAY二极管及阵列
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有效期至: 长期有效
最后更新: 2022-03-12 17:52
 
详细信息
  • TVS ESD ARRAY二极管及阵列  
  • 发布时间:2017/8/14 10:07:20   修改时间:2018/7/17 9:46:27 浏览次数:1494
  • TVS ESD ARRAY二极管及阵列
  • RJ45千兆以太网通讯高温不丢包防浪涌保护方案

    TVS二极管阵列GBLC03C-LF-T7 低电容防雷元件

    电性参数:GBLC03C

    功率pPP: 350W   8/20US   

    断态电压3.3V

    箝位电压VCC<20V  IPP>20A

    极低的漏电流 IR<100nA

    方案特点

     1可应用于10/100M 1000M高速以太网通讯接口

    在变压器后端采用低结电容,低漏电流的TVS,后级再串联电阻。

    在环境较恶劣,如高温下,100米网线传输,信号传输丢包率

    浪涌测试满足条件:

    符合规范 1ITU-TK.21,K.45,K.20(加强要求)

    2ESDIEC61000-4-2

    3、通过差模2KV/共模6KV10/700μs雷击浪涌

    应用产品

    1GPPON,EPON家庭宽带局端设备

    工业以太网交换机

    机顶盒LCD电视

    高清网络摄像机

    TVS ESD ARRAY二极管及阵列
    GBLC03C-LF-T7 GBLC05C-LF-T7 GBLC08C-LF-T7 GBLC12C-LF-T7
    GBLC24C-LF-T7 GBLC03CI-LF-T7 GBLC05CI-LF-T7

    PSOT03C-LF-T7 PSOT05C-LF-T7 PSOT12C-LF-T7 PSOT15C-LF-T7
    PSOT24C-LF-T7 PSOT36C-LF-T7
    PSRDA3.3-4-LF-T7 SLVU2.8-LF-T7 PSR05-LF-T7 SLVU2.8-4-LF-T7

    SMF05C-LF-T7 PLR0504F RSB6.8S-LF-T7 RSB6.8C-LF-T7
    SRV05-4-P-T7 PSM712-LF-T7 PTKPP3100SB-LF-T13
    SM16LC15C-LF-T7 PSD03C-LF-T7 PSD05C-LF-T7 PSD08C-LF-T7

    PSD12C-LF-T7 PSD18C-LF-T7 PSD24C-LF-T7 PSRDA05-4-LF-T7 
    EM8D-100L-LF-T7 SR12-LF-T7 PD10850Q-LF-T7 PSOT05LC-LF-T7
    EM4D-100L-LF-T73 PD10753-LF-T7

     

     

    大功率低容值瞬变二极管阵列
    瞬态电压抑制元件LC03-3.3LC03-6

    LC Series 18 V 1800 W SMT Low Capacitance TVS for High Speed Interface - SOIC-8

    可以保护连接到高频成分从电压高速数据通信线路浪涌引起的雷电,静电放电(ESD),电快速瞬变(EFT)。

    适用于:低压接口?T3E ?10/100 /1000以太网?机顶盒?ISDN接口,低工作电压3.3V大大减少发热带来的影响,高功率使数据传输更便捷,其内部结构特殊(详见下方电路图)

    LC03-3.3电特性(Features):

    1、高速接口的低电容。

    2、超低漏:nA水平。

    3、低工作电压:3.3V

    4、超低的箝位电压。

    5、保护两线的共模和差模

    6jedec SO - 8封装

    7、符合以下标准:

    IEC61000-4-2ESD)静电试验

    空气放电: ±30Kv

    接触放电: ±30kV 

    IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)

    IEC61000-4-5 (Lightning) 100A (8/20μs)

    符合rohs标准

    大功率低容值瞬变二极管阵列
    TVS  LC03-6.TBT参数

    电压, Vrwm: 6V

    击穿电压范围: 6.8V

    钳位电压 : 20V

    峰值脉冲电流: 100A

    封装形式: SOIC

    针脚数: 8

    二极管类型: TVS

    击穿电压: 6.8V

    击穿电压 : 6.8V 
    封装类型: SOIC

    工作温度范围:-55°C +125°C

    截止电压: 6V

    电容, Cd典型值 @ Vr: 8pF

     

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