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SI3469DV-T1-E3-Vishay/Siliconix-上海纽沃柯

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    有效期至：

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    • SI3469DV-T1-E3-Vishay/Siliconix-上海纽沃柯  
    • 发布时间：2008/8/18 17:09:38   修改时间：2008/8/18 17:09:38 浏览次数：484
    • SI3469DV-T1-E3-Vishay/Siliconix-上海纽沃柯
    • Mouser Part #:781-SI3469DV-T1-E3
      Manufacturer Part #:SI3469DV-T1-E3
      Manufacturer:Vishay/Siliconix
      Description:cription>P-Channel MOSFETs 20V 6.7A 0.03Ohm
      RoHS:RoHS Compliant Details
      Configuration:Single Quad Drain
      Continuous Drain Current:5 A
      Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
      Gate-Source Breakdown Voltage:+ /- 20 V
      Manufacturer:Vishay
      Maximum Operating Temperature:150 C
      Minimum Operating Temperature:- 55 C
      Package / Case:TSOP
      Packaging:Reel
      Power Dissipation:1400 mW
      Product:MOSFETs
      Product Category:P-Channel MOSFETs
      Resistance Drain-Source RDS (on):0.03 Ohm @ 10 V
      Transistor Polarity:P-Channel
      Typical Fall Time:35 ns
      Typical Rise Time:12 ns
      Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
     
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