长度、宽度、厚度及允差(±0.20)垂直度(≤0.10%)翘曲度(厚度0.7mm以上≤0.10%,厚度0.55mm以下≤0.15%)微观波纹度倒边C倒边(0.05mm≤宽度≤0.40mm)R倒边(0.20mm≤宽度≤1.00mm,曲率半径≤50mm)倒角(浮法方向2.0mmX5.0mm;其余1.5mmx1.5mm)SiO2阻挡层厚度(350埃±50埃,550nm透过率≥90%)ITO层光学、电学、蚀刻性能(蚀刻液:600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3)
ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应,形成其它导电和透过率不佳的反应物质,所以在加工过程中,尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。ITO层由很多细小的晶粒组成,晶粒在加温过程中会裂变变小,从而增加更多晶界,电子突破晶界时会损耗一定的能量,所以ITO导电玻璃的ITO层在600度以下会随着温度的升高,电阻也增大。
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